Seit einigen Wochen gibt es Gerüchte, dass Apple IGZO-basierte LCD-Displays verwenden möchten, die heller, klarer, dünner und effizienter sind als bestehende LCDs.

Mit InGaZnO-Panels können Hersteller auch eine höhere Auflösung erreichen als ein IPS-LCD-Display (Retina). Sharp rüstete die Kameyama-Anlage (Gen-8) um, sodass diese Art der Panels produziert werden können.

Sharp will mit der Massenproduktion am Ende des Jahres 2011 anfangen. IGZO-TFTs haben wesentlich geringere Mobilität als die p-Si-basierten TFTs von ELA (Excimer Laser Annealing); bei rund 10 cm2/V-sec ist die Mobilität mehr als 10mal größer als die eines a-Si TFTs. Dieses neue Material, IGZO – Indium, Gallium, Zink, Sauerstoff (Oxygen) – ersetzt die traditionelle amorphe Silizium-Schicht. IGZO hat eine Elektronenbeweglichkeit, die 40-mal höher ist als bei herkömmlichen Materialien, so dass die Reaktionsgeschwindigkeit des Displays schneller gesteuert werden kann.

IGZO-Panels sind für kleine und mittlere Panels für Smartphones und Tablets konzipiert.

Sharp hat im April 2011 bekannt gegeben, dass sie mit Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd einen Dünnfilm-Transistor mit IGZO entwickelt haben und diesen vermarkten werden. LCD-Panels mit hoher Energieeffizienz werden möglich durch eine Verkleinerung des Transistors und durch eine Erhöhung der Lichtdurchlässigkeit für jedes Pixel.

Apple wollen IGZO-basierte TFT-Displays von Sharp für das nächste iPhone5 und Ipad3 nutzen. Aber ein Analytiker denkt auch, dass Sharp und Apple ein IGZO basiertes OLED-Display in den nächsten 1 bis 2 Jahren entwickeln werden.

Große OLED-Panels mit IGZO sind im Jahr 2014 oder 2015 zu erwarten. AUO präsentierte ein 32-Zoll IGZO-basiertes OLED-TV auf der FPD-2011.

Vorteile von IGZO im Vergleich zu herkömmlichen p-Si-TFTs:

• PVD-Beschichtung bei niedrigen Temperaturen, das die Verwendung von flexiblen oder preisgünstigen Kalk-Natron-Substraten ermöglichen könnte
• Kann in herkömmliche a-Si TFT-Linien bei relativ niedrigen Kosten eingebaut und auf große Substrate skaliert werden (dh Gen-7 oder größer)
• Die glatte Oberflächenmorphologie von IGZO ermöglicht eine saubere Schnittstelle mit dem Gate-Isolator um einen höheren Analysebereich zu bieten
• Transparenz
• Gleichmäßigkeit und Beständigkeit
• steuerbare TFT-Eigenschaften durch die Zusammensetzung des Metalls